金属エッチング後の乾式クリーニング方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：清水善廣 , 阿部伸一 , 辻田幸史 , 田代作男 , 町田悦夫 , 打揚洋次
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-181374
公開番号（公開出願番号）：特開2000-031117
特許番号：特許第4435332号
出願日： 1999年06月28日
公開日（公表日）： 2000年01月28日
請求項（抜粋）：

【請求項1】半導体デバイス上に金属層を形成し、該金属層の複数の部分上にレジストを設け、該デバイス上にパターン形成された金属と金属汚染されたレジストとが残るように該金属をエッチングし、O2ガスを使用して反応性イオンエッチング(RIE)プラズマアッシングプロセスを室温で行って、該金属汚染されたレジストの少なくとも一部をアッシングし、そして該RIEアッシングプロセスの後に、ハロゲン含有O2ガスを使用してダウンストリーム型マイクロ波プロセス及びRFプラズマプロセスを室温で同時に行って、レジスト残渣を水溶性にすることを特徴とする半導体デバイスの加工方法。

IPC (1件)：