特許
J-GLOBAL ID：201103016667936974
半導体整流装置
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
松山 允之
, 池上 徹真
, 須藤 章
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-011300
公開番号（公開出願番号）：特開2011-151208
出願日： 2010年01月21日
公開日（公表日）： 2011年08月04日
要約：
【課題】小数キャリアが注入される電圧を低下させ、十分なサージ電流耐性を有するワイドバンドギャップ半導体を用いた高耐圧半導体整流装置を提供する。【解決手段】第1導電型のワイドバンドギャップ半導体基板と、ワイドバンドギャップ半導体基板の上面に形成され、不純物濃度が1E+14atoms/cm3以上5E+16atoms/cm3以下、厚さが20μm以上の第1導電型のワイドバンドギャップ半導体層と、ワイドバンドギャップ半導体層表面に形成される第1導電型の第1のワイドバンドギャップ半導体領域と、第1のワイドバンドギャップ半導体領域に挟まれて形成される第2導電型の第2のワイドバンドギャップ半導体領域と、第1および第2のワイドバンドギャップ半導体領域上に形成される第1の電極と、ワイドバンドギャップ半導体基板の下面に形成される第2の電極と、を備え、第2のワイドバンドギャップ半導体領域の幅が15μm以上であることを特徴とする半導体整流装置。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1導電型のワイドバンドギャップ半導体基板と、
前記ワイドバンドギャップ半導体基板の上面に形成され、不純物濃度が1E+14atoms/cm3以上5E+16atoms/cm3以下、厚さが20μm以上の第1導電型のワイドバンドギャップ半導体層と、
前記ワイドバンドギャップ半導体層表面に形成される第1導電型の第1のワイドバンドギャップ半導体領域と、
前記第1のワイドバンドギャップ半導体領域に挟まれて形成される第2導電型の第2のワイドバンドギャップ半導体領域と、
前記第1および第2のワイドバンドギャップ半導体領域上に形成される第1の電極と、
前記ワイドバンドギャップ半導体基板の下面に形成される第2の電極と、
を備え、
前記第2のワイドバンドギャップ半導体領域の幅が15μm以上であることを特徴とする半導体整流装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L29/48 D
, H01L29/48 F
4M104AA03
, 4M104AA04
, 4M104AA10
, 4M104BB05
, 4M104BB06
, 4M104BB14
, 4M104BB16
, 4M104BB17
, 4M104BB18
, 4M104BB32
, 4M104CC01
, 4M104CC03
, 4M104DD16
, 4M104DD37
, 4M104DD78
, 4M104FF01
, 4M104FF13
, 4M104FF32
, 4M104FF35
, 4M104GG03
, 4M104GG18
, 4M104HH20
審査官引用 (3件)
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半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願2008-113063
出願人：トヨタ自動車株式会社, 株式会社デンソー, 株式会社豊田中央研究所
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整流用半導体装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願平11-118715
出願人：ローム株式会社
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半導体装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願2009-195323
出願人：三菱電機株式会社
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