積層構造体、発光素子、ランプ、及び光源

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：柿沼伸司
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-247523
公開番号（公開出願番号）：特開2003-060225
特許番号：特許第3651422号
出願日： 2001年08月17日
公開日（公表日）： 2003年02月28日
請求項（抜粋）：

【請求項1】単結晶の基板上に設けられた非晶質または多結晶の硼素(B)を含むIII-V族化合物半導体(含硼素III-V族化合物半導体)からなる緩衝層と、緩衝層上に設けられた含硼素III-V族化合物半導体からなる障壁層と、障壁層上に設けられたIII-V族化合物半導体からなる活性層とを備えた積層構造体において、該活性層がバリア(barrier)層と井戸(well)層とから構成される量子井戸構造からなり、バリア層をリン化硼素・ガリウム、または、リン化硼素・インジウムから構成し、井戸層を窒化ガリウム・インジウムから構成することを特徴とする積層構造体。

IPC (1件)：