特許
J-GLOBAL ID:201103018473579960

インバータ装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (4件): 大岩 増雄 ,  児玉 俊英 ,  竹中 岑生 ,  村上 啓吾
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-012696
公開番号(公開出願番号):特開2000-217369
特許番号:特許第3641793号
出願日: 1999年01月21日
公開日(公表日): 2000年08月04日
請求項(抜粋):
【請求項1】 2つの電位PおよびNを有する直流電圧回路と、負荷に接続される出力端子に前記電位Pまたは電位Nを選択的に出力可能なn台(n≧1の整数)の2レベルインバータブリッジを備えるインバータ装置において、 前記n台の2レベルインバータブリッジの各々は、直列接続された第1および第2の自己消弧型半導体素子と、前記第1および第2の自己消弧型半導体素子の各々に逆並列接続される第1および第2のフリーホイールダイオードと、前記直流電圧回路の電位Pと前記第1の自己消弧型半導体素子のアノード端子との間に接続される電流変化率抑制素子群と、前記第1の自己消弧型半導体素子のアノード端子と前記第2の自己消弧型半導体素子のカソード端子との間に接続されるクランプダイオードとクランプコンデンサからなる第1の直列接続体と、前記クランプコンデンサと前記電流変化率抑制素子群の蓄積エネルギーを回収するための回収ダイオードと回収コンデンサからなる第2の直列接続体とを備え、 前記クランプダイオードのカソード端子と前記回収ダイオードのアノード端子を共に前記クランプコンデンサの2つの端子のうち前記第2の自己消弧型半導体素子のカソード端子に接続されていない端子に接続して、前記電流変化率抑制素子群の蓄積エネルギーにより前記回収コンデンサを充電するともに、前記第1、第2の自己消弧型半導体素子のスイッチング動作以外の期間に前記クランプダイオードに逆電圧を印加するようにし、さらに、 前記回収コンデンサに接続され、前記回収コンデンサに蓄積されるエネルギーを前記直流電圧回路に回生するためのエネルギー回生回路を設けたことを特徴とするインバータ装置。
IPC (2件):
H02M 7/5387 ,  H02M 7/48
FI (3件):
H02M 7/5387 Z ,  H02M 7/48 K ,  H02M 7/48 Q
引用特許:
審査官引用 (3件)

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