絶縁層付金属基板および光電変換素子

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：柳田征史 , 佐久間剛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-083338
公開番号（公開出願番号）：特開2011-233874
出願日： 2011年04月05日
公開日（公表日）： 2011年11月17日
要約：

【課題】絶縁層付金属基板を絶縁性を確実に確保することが可能なものとする。【解決手段】絶縁層付金属基板を、金属基板10上に陽極酸化により形成された絶縁性酸化膜20と、絶縁性酸化膜20上にスピンオンガラス膜30とを有するものとする。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

金属基板上に陽極酸化により形成された絶縁性酸化膜と、該絶縁性酸化膜上にスピンオンガラス膜とを有する絶縁層付金属基板。

IPC (1件)：

H01L 31/04

FI (1件)：

H01L31/04 M

Fターム (12件)：

5F151AA09 , 5F151AA10 , 5F151BA11 , 5F151FA02 , 5F151FA06 , 5F151FA13 , 5F151FA15 , 5F151GA02 , 5F151GA03 , 5F151GA06 , 5F151JA03 , 5F151JA05

引用特許：

審査官引用 (5件)

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