セラミック状酸化ケイ素系被膜の形成方法、セラミック状酸化ケイ素系被膜を有する無機質基材の製造方法、セラミック状酸化ケイ素系被膜形成剤および半導体装置

発明者： , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：久保田芳譽
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-262513
公開番号（公開出願番号）：特開2009-094239
出願日： 2007年10月05日
公開日（公表日）： 2009年04月30日
要約：

【課題】ハイドロジェンシロキサン系ポリマーを使用して、無機質基材上の凹凸、段差を平坦化でき、クラック、ピンホールがなく、シラノール基等を実質的に含有していないセラミック状酸化ケイ素系被膜を形成する方法、かかる被膜を有する無機質基材の製造方法、かかる被膜に変換可能な被膜形成剤および半導体装置を提供する。【解決手段】無機質基材にオルガノハイドロジェンシロキサン・ハイドロジェンシロキサンコポリマーを被覆し不活性ガス又は酸素ガス含有不活性ガス(酸素ガスは20体積%未満である)中で高温加熱して、該被膜をセラミック状酸化ケイ素系被膜に変換することによる、セラミック状酸化ケイ素系被膜の形成方法、該被膜を有する無機質基材の製造方法。オルガノハイドロジェンシロキサン・ハイドロジェンシロキサンコポリマー又はその溶液からなるセラミック状酸化ケイ素系被膜形成剤。無機質基板の酸化ケイ素系被膜上に少なくとも半導体層が形成されている半導体装置。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

無機質基材表面に、シロキサン単位式:(HRSiO2/2)n(HSiO3/2)m (1) (式中、Rは炭素原子数1〜10のアルキル基および炭素原子数6〜10のアリール基からなる群から選択される1価炭化水素基であり、nは平均0.01≦n≦0.80の数であり、n+m=1である)で示されるオルガノハイドロジェンシロキサン・ハイドロジェンシロキサンコポリマーからなる被膜を形成し、次いで、該被膜の形成された該無機質基材を不活性ガス又は酸素ガス含有不活性ガス(酸素ガスは20体積%未満である)中で高温加熱して、該被膜をセラミック状酸化ケイ素系被膜に変換することを特徴とする、セラミック状酸化ケイ素系被膜の形成方法。

IPC (4件)：

H01L 21/312 , H01L 21/316 , C23C 18/12 , H01L 31/04

FI (6件)：

H01L21/312 C , H01L21/316 C , H01L21/316 G , H01L21/316 P , C23C18/12 , H01L31/04 E

Fターム (33件)：

4K022AA01 , 4K022BA15 , 4K022BA20 , 4K022CA13 , 4K022CA22 , 4K022DA06 , 4K022DB24 , 5F051AA10 , 5F051BA15 , 5F051BA18 , 5F051DA09 , 5F051FA04 , 5F051FA06 , 5F051FA13 , 5F051FA15 , 5F051GA05 , 5F051GA06 , 5F058AC03 , 5F058AF04 , 5F058AG01 , 5F058AH10 , 5F058BA06 , 5F058BA09 , 5F058BA10 , 5F058BB05 , 5F058BB06 , 5F058BB07 , 5F058BC02 , 5F058BF46 , 5F058BH01 , 5F058BH03 , 5F058BH04 , 5F058BJ10

引用特許：

出願人引用 (6件)

特公平6-42478号公報
特公平6-42477号公報
特開平3-183675号公報

全件表示

審査官引用 (4件)

シリカ含有セラミックコーティングの形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-172968 出願人：ダウ・コ-ニング・コ-ポレ-ション
シリカ系無機ポリマー膜で被覆されたステンレス箔及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-309283 出願人：新日本製鐵株式会社
膜形成用組成物の製造方法、膜形成用組成物およびシリカ系膜
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-364487 出願人：JSR株式会社

全件表示

前のページに戻る