特許
J-GLOBAL ID：201103018810255080
液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
小野 由己男
, 稲積 朋子
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-299722
公開番号（公開出願番号）：特開2000-131719
特許番号：特許第4413337号
出願日： 1999年10月21日
公開日（公表日）： 2000年05月12日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 ゲート線及びゲート線と連結されているゲート電極を含むゲート配線を、第1マスクを用いて絶縁基板上に形成する段階と、
前記ゲート配線を覆うゲート絶縁膜、半導体層、抵抗接触層及びデータ導体層を順次に積層する段階と、
第2マスクを用いて前記データ導体層をパターニングし、前記ゲート線と交差するデータ線と、前記データ線と連結されていて前記ゲート電極に隣接するソース電極と、前記ゲート電極に対して前記ソース電極の反対側に位置するドレイン電極とを含むデータ配線を形成する段階と、
前記データ配線で遮られない前記抵抗接触層を除去する段階と、
前記データ配線及び前記半導体層上部に、リフローが可能な有機絶縁物質で形成された保護膜を積層する段階と、
前記保護膜、前記半導体層及び前記ゲート絶縁膜を、第3マスクを用いて一度にパターニングすることにより、前記ドレイン電極を露出する第1接触孔を形成する段階と、
前記保護膜及び前記基板の上部に、導電層を積層する段階と、
第4マスクを用いて前記導電層をパターニングし、前記第1接触孔を通じて前記ドレイン電極と連結される画素電極を形成する段階と、を含み、
前記接触孔の形成段階において、前記ゲート線の一部を露出することによって互いに隣接する前記データ線の間の前記ゲート線上部にある前記半導体層を互いに分離し、
前記保護膜をリフローすることによって、前記露出されたゲート線の一部を前記保護膜で覆う、
液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板の製造方法。
IPC (5件)：
G02F 1/1368 ( 200 6.01)
, G02F 1/1343 ( 200 6.01)
, G09F 9/30 ( 200 6.01)
, H01L 21/336 ( 200 6.01)
, H01L 29/786 ( 200 6.01)
G02F 1/136
, G02F 1/134
, G09F 9/30 338
, H01L 29/78 612 D
