特許
J-GLOBAL ID：201103018860756650

プラズマ処理方法及び装置

発明者：
渡辺 利幸

渡辺 利幸 について

, 
宝珍 隆三

宝珍 隆三 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (1件)： 石原 勝
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-001932
公開番号（公開出願番号）：特開2000-200698
特許番号：特許第4017274号
出願日： 1999年01月07日
公開日（公表日）： 2000年07月18日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 真空室内に基板を載置する電極と、前記電極に対向しかつ前記真空室の一面に配置されたハニカム状の誘電体と、前記電極に対向して配置された高周波誘導結合用コイルと、前記コイルに高周波電力を印加する高周波電源とを備えたプラズマ処理装置であって、前記誘電体は板状部と1以上の梁部とが一体的に構成され、かつ、前記板状部の外周が梁部で囲まれた構成であり、前記コイルは前記板状部上に配置されると共に前記外周の梁部以外の全梁部に形成されたスリットを通して配設されていることを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (4件)：
H05H 1/46 ( 200 6.01) ,  C23C 16/50 ( 200 6.01) ,  H01L 21/302 ( 200 6.01) ,  H01L 21/31 ( 200 6.01)
FI (4件)：
H05H 1/46 L ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/302 ,  H01L 21/31 C
引用特許：
審査官引用 (5件)
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