特許
J-GLOBAL ID:201103018921059043
プラズマ反応炉システムの運転制御方法及び装置
発明者:
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出願人/特許権者:
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代理人 (1件):
飯塚 信市
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-403116
公開番号(公開出願番号):特開2002-203795
特許番号:特許第3982670号
出願日: 2000年12月28日
公開日(公表日): 2002年07月19日
請求項(抜粋):
【請求項1】 液晶デバイスや半導体デバイス等の処理対象物が装入される反応炉と、反応炉内のガスを励起させてプラズマを生成するためのプラズマ発生部と、反応炉内へのガス供給を行うガス供給部と、反応炉からのガス排気を行うガス排気部と、ガス供給部の動作とガス排気部の動作とを連動させて制御することにより、反応炉内のガスを所望のガス種とその濃度並びに圧力に切り替えるガス切替部と、を有するプラズマ反応炉システムの運転制御方法であって、
ガス切替部に対してプロセスガスから不活性ガスへの切替指令を与えたのちに、プラズマ発生部に対してプラズマ発生停止指令を与える、ことを特徴とするプラズマ反応炉システムの運転制御方法。
IPC (2件):
H01L 21/205 ( 200 6.01)
, C23C 16/52 ( 200 6.01)
FI (2件):
引用特許:
出願人引用 (4件)
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半導体又は液晶製造用装置並びに液体材料ガスの気化方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平10-337999
出願人:大見忠弘, 株式会社ウルトラクリーンテクノロジー開発研究所
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成膜方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-136211
出願人:株式会社半導体エネルギー研究所
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プラズマ処理方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平6-309245
出願人:松下電器産業株式会社
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特開平3-140468
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審査官引用 (5件)
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半導体又は液晶製造用装置並びに液体材料ガスの気化方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平10-337999
出願人:大見忠弘, 株式会社ウルトラクリーンテクノロジー開発研究所
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成膜方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-136211
出願人:株式会社半導体エネルギー研究所
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プラズマ処理方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平6-309245
出願人:松下電器産業株式会社
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特開平3-140468
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特開平3-140468
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