表面の位相的特徴を解析する方法および評価装置

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：五十嵐孝雄 , 下出隆史 , 市川浩 , 加藤光宏
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-557139
特許番号：特許第3922885号
出願日： 1999年06月10日
請求項（抜粋）：

【請求項1】区画されたパターンを有する電子デバイスの表面の状態を解析する方法であって、 (a)表面の特徴で光が散乱および回折するように、単色干渉光源であるレーザを光源により、前記表面の第一の領域を照射し、 (b)該第一の領域表面に前記照射を行なうことで得られた前記第1の領域表面からの散乱および回折した散乱回折光であって、光の単一のポイントのみが画像化されるファーフィールド回折パターンの散乱回折光を、フーリエ平面に近接した位置で検出し、 (c)前記ファーフィールド散乱回折光の前記検出したファーフィールド回折パターンにおける各次数の回折光の強さを、前記第一の領域の期待される状態に対応する状態を有する基準領域から回折した光の基準回折パターンにおける各次数の回折光の強さと比較し、 (d)前記第一の領域からのファーフィールド回折パターンにおける各次数の回折光の強さが、前記基準回折パターンにおける各次数の回折光の強さから大きく逸脱している場合には、前記第一の領域は許容範囲外にあると判断し、 (e)前記第一の領域からのファーフィールド回折パターンにおける各次数の回折光の強さが、前記基準回折パターンにおける各次数の回折光の強さから大きく逸脱していない場合には、前記第一の領域は許容範囲内にあると判断する解析方法。

IPC (3件)：

G01N 21/956 ( 200 6.01) , G01B 11/30 ( 200 6.01) , H01L 21/66 ( 200 6.01)

FI (3件)：

G01N 21/956 A , G01B 11/30 A , H01L 21/66 J

引用特許：

審査官引用 (10件)

パターン欠陥検出方法及びパターン欠陥検出装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-324878 出願人：株式会社東芝
特開平4-176143
特開平4-176143

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