窒化物半導体光素子及びその形成方法

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-176586
公開番号（公開出願番号）：特開2001-007397
特許番号：特許第3412563号
出願日： 1999年06月23日
公開日（公表日）： 2001年01月12日
請求項（抜粋）：

【請求項1】基板上に形成されたp型電極及びn型電極を備える窒化物半導体と、前記基板の窒化物半導体と対向する面側に設けられた反射層とを有する窒化物半導体光素子であって、前記反射層は、基板側から順に、第一の層として窒素元素を含む金属元素からなる層と、第二の層として第一の層よりも窒素元素が少ない前記金属元素からなる層を有することを特徴とする窒化物半導体光素子。

IPC (1件)：