特許
J-GLOBAL ID：201103020972685652
光半導体装置及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
川上 光治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-085629
公開番号（公開出願番号）：特開2011-216800
出願日： 2010年04月02日
公開日（公表日）： 2011年10月27日
要約：
【課題】(001)面上における対称形状を有する量子ドットを作製することができる光半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】成長雰囲気内でInP基板の上方にInxGa1-yAsyP1-y層(0≦x≦1、0≦y≦1)を形成する工程と、アルミニウム原料を成長雰囲気に供給する工程と、アルミニウム原料の成長雰囲気への供給を停止する工程と、砒素原料、アンチモン原料のうち少なくとも一方とインジウム原料、ガリウム原料の少なくとも一方とを含むガスを成長雰囲気に供給することにより、InxGa1-yAsyP1-y層の上にInaGa1-aAsbSb1-b(0≦a≦1、0≦b≦1)量子ドットを形成する工程とを有する。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
成長雰囲気内でInP基板の上方にInxGa1-yAsyP1-y層(0≦x≦1、0≦y≦1)を形成する工程と、
アルミニウム原料を前記成長雰囲気に供給する工程と、
前記アルミニウム原料の前記成長雰囲気への供給を停止する工程と、
砒素原料、アンチモン原料のうち少なくとも一方とインジウム原料、ガリウム原料の少なくとも一方とを含むガスを前記成長雰囲気に供給することにより、前記InxGa1-yAsyP1-y層の上にInaGa1-aAsbSb1-b(0≦a≦1、0≦b≦1)の量子ドットを形成する工程と、
を有する光半導体装置の製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (5件)：
5F173AF08
, 5F173AH30
, 5F173AP06
, 5F173AP32
, 5F173AP33
