特許

J-GLOBAL ID：200903019363856363

光半導体装置

発明者： 江部 広治 ,  中田 義昭 ,  荒川 泰彦
出願人/特許権者： 富士通株式会社 ,  国立大学法人 東京大学
代理人 (2件)： 北野 好人 ,  三村 治彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-298791
公開番号（公開出願番号）：特開2006-114612
出願日： 2004年10月13日
公開日（公表日）： 2006年04月27日
要約：

【課題】良質な量子ドットを所望の密度で形成し得る光半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】下地層16上に形成された量子ドット20を有する光半導体装置であって、下地層の少なくとも表層部に、下地層の構成元素とイオン半径が異なる微量元素18が存在しており、微量元素の存在により表層部に生ずる局所的な歪により、量子ドットが形成されている。下地層の表層部に存在させる微量元素の面密度を適宜設定することにより、量子ドットの面密度を制御することができる。しかも、下地層の表層部に存在させる微量元素は微量であるため、下地層の質を損なうこともない。従って、下地層や量子ドットの質を損なうことなく、所望の密度で量子ドットを形成することができる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

下地層上に形成された量子ドットを有する光半導体装置であって、 前記下地層の少なくとも表層部に、前記下地層の構成元素とイオン半径が異なる微量元素が存在しており、 前記微量元素の存在により前記表層部に生ずる局所的な歪により、前記量子ドットが形成されている ことを特徴とする光半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/203 ,  H01L 21/205 ,  H01S 5/34

FI (3件)：

H01L21/203 M ,  H01L21/205 ,  H01S5/34

Fターム (22件)：

5F045AA04 ,  5F045AA05 ,  5F045AB09 ,  5F045AB12 ,  5F045AB18 ,  5F045AC15 ,  5F045AD08 ,  5F045AF04 ,  5F045DA56 ,  5F045DA59 ,  5F045DA69 ,  5F103AA04 ,  5F103DD13 ,  5F103DD30 ,  5F103GG01 ,  5F103HH03 ,  5F103KK10 ,  5F103LL17 ,  5F173AA26 ,  5F173AF08 ,  5F173AP45 ,  5F173AR99

引用特許：

出願人引用 (4件)

• III -V族化合物半導体エピタキシャル層の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-114319   出願人：古河電気工業株式会社
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-067473   出願人：株式会社東芝
• 半導体発光/検出デバイスとその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-039678   出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
• ナノ構造の選択的形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-282302   出願人：独立行政法人物質・材料研究機構

審査官引用 (3件)

• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-067473   出願人：株式会社東芝
• 半導体発光/検出デバイスとその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-039678   出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
• ナノ構造の選択的形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-282302   出願人：独立行政法人物質・材料研究機構

引用文献：

出願人引用 (1件)

• APPLIED PHYSICS LETTERS, 20020211, Vol.80, No.6, p.1073-1075

審査官引用 (1件)

• APPLIED PHYSICS LETTERS, 20020211, Vol.80, No.6, p.1073-1075