ゲート酸化膜の選択的窒化

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：坂口博 , 市位嘉宏 , 上野剛史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-011499
公開番号（公開出願番号）：特開2005-210123
出願日： 2005年01月19日
公開日（公表日）： 2005年08月04日
要約：

【課題】窒素が選択的に富化された薄いゲート誘電体を含む半導体構造を提供すること。【解決手段】導入される窒素の量は、ゲート漏れおよびドーパントの侵入を低減させまたはこれらを防ぐのには十分だが、デバイス性能をあまり低下させない量である。pFETのゲート誘電体にはnFETのゲート誘電体よりも低い濃度の窒素が導入される。窒化は、急速熱窒化(RTN)、炉窒化、リモート・プラズマ窒化(RPN)、デカップルド・プラズマ窒化(DPN)、ウェル注入またはポリシリコン注入、あるいはこれらの組合せを含むさまざまな技法によって選択的に実施することができる。【選択図】図6

請求項（抜粋）：

第1の能動デバイスの第1のフィーチャおよび第2の能動デバイスの第2のフィーチャを形成するステップと、前記第1の能動デバイスの前記第1のフィーチャに第1の量の窒素を導入するステップと、前記第2の能動デバイスの前記第2のフィーチャに、前記第1の量とは異なる第2の量の窒素を導入するステップとを含む半導体構造の製造方法。

IPC (4件)：

H01L21/8238 , H01L21/318 , H01L27/092 , H01L29/78

FI (3件)：

H01L27/08 321D , H01L21/318 C , H01L29/78 301G

Fターム (37件)：

5F048AA07 , 5F048AA08 , 5F048AC03 , 5F048BA01 , 5F048BA02 , 5F048BA06 , 5F048BA07 , 5F048BB05 , 5F048BB11 , 5F048BB16 , 5F048BB18 , 5F048BE03 , 5F048BG13 , 5F058BA05 , 5F058BC02 , 5F058BC11 , 5F058BD04 , 5F058BD15 , 5F058BF64 , 5F058BF74 , 5F058BF76 , 5F058BJ01 , 5F140AA24 , 5F140AB03 , 5F140BA01 , 5F140BA16 , 5F140BD09 , 5F140BD15 , 5F140BE02 , 5F140BE05 , 5F140BE07 , 5F140BE08 , 5F140BE19 , 5F140BF01 , 5F140BF04 , 5F140CB04 , 5F140CB08

引用特許：

審査官引用 (7件)

半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-157012 出願人：三菱電機株式会社
特開平1-183844
半導体集積回路装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-154589 出願人：株式会社ルネサステクノロジ

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