特許
J-GLOBAL ID：200903047172905783

シリコン酸化膜の形成方法

発明者：
中村 秀雄

中村 秀雄 について

, 
壁 義郎

壁 義郎 について

, 
北川 淳一

北川 淳一 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (2件)： 渡邊 和浩 ,  星宮 勝美
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-013724
公開番号（公開出願番号）：特開2009-200483
出願日： 2009年01月24日
公開日（公表日）： 2009年09月03日
要約：
【課題】 凹凸形状を有するシリコンの酸化処理において、側壁に形成されるシリコン酸化膜の膜厚を底部に比べて極力薄く形成する。【解決手段】 複数のマイクロ波放射孔32を有する平面アンテナ板31によりチャンバー1内にマイクロ波を導入するプラズマ処理装置100を用い、載置台2に高周波電力を印加しながら、処理ガス中の酸素の割合が0.1%以上50%以下の範囲内であり、かつ処理圧力が1.3Pa異常667Pa以下の範囲内の条件でプラズマを生成させる。このプラズマにより、ウエハW上に形成された凹凸形状のシリコンの側壁面に形成されるシリコン酸化膜の膜厚と、凹部の底壁面に形成されるシリコン酸化膜の膜厚との比[側壁面の膜厚/底壁面の膜厚]が0.6以下の範囲内となるようにする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
プラズマ処理装置の処理室内で、凹凸形状を有する被処理体の表面に露出したシリコン部分に処理ガスのプラズマを作用させて酸化処理を施し、シリコン酸化膜を形成するシリコン酸化膜の形成方法であって、 前記処理室内で被処理体を載置する載置台に被処理体の面積当り0.2W/cm2以上2.3W/cm2以下の範囲内の出力で高周波電力を印加しながら、前記処理ガス中の酸素の割合が体積比で0.1%以上50%以下の範囲内であり、処理圧力が1.3Pa以上667Pa以下の範囲内の条件で前記プラズマを生成させることにより、前記凹凸形状の側壁面に形成される前記シリコン酸化膜の膜厚と、凹部の底壁面に形成される前記シリコン酸化膜の膜厚との比[側壁面の膜厚/底壁面の膜厚]を0.6以下とすることを特徴とするシリコン酸化膜の形成方法。
IPC (10件)：
H01L 21/316 ,  H01L 21/76 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/088 ,  H01L 27/08 ,  H01L 21/283 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/115 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792
FI (7件)：
H01L21/316 A ,  H01L21/76 L ,  H01L27/08 102C ,  H01L27/08 331A ,  H01L21/283 B ,  H01L27/10 434 ,  H01L29/78 371
Fターム (40件)：
4M104AA01 ,  4M104BB01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD65 ,  4M104DD86 ,  4M104DD89 ,  4M104EE09 ,  4M104GG09 ,  4M104GG14 ,  4M104GG16 ,  5F032AA34 ,  5F032AA36 ,  5F032AA44 ,  5F032AA45 ,  5F032AA67 ,  5F032AA70 ,  5F032CA17 ,  5F032DA02 ,  5F032DA23 ,  5F032DA25 ,  5F032DA53 ,  5F048AA04 ,  5F048AA07 ,  5F048AC01 ,  5F048BA01 ,  5F048BB01 ,  5F048BB05 ,  5F048BG13 ,  5F048DA25 ,  5F058BA06 ,  5F058BA20 ,  5F058BC02 ,  5F058BF08 ,  5F058BF73 ,  5F058BJ06 ,  5F083NA01 ,  5F083PR21 ,  5F083PR40 ,  5F101BD35 ,  5F101BH02
引用特許：
審査官引用 (4件)
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