半導体装置の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：筒井大和
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-182295
公開番号（公開出願番号）：特開2001-015566
特許番号：特許第4109799号
出願日： 1999年06月28日
公開日（公表日）： 2001年01月19日
請求項（抜粋）：

【請求項1】移動自在なステージに支持された半導体ウェハの検査用チップに光を照射して、前記光の散乱・回折光をフィルタに通して検出して前記検査用チップ上の異物・欠陥を含んだ情報である検査用チップ情報を取り込む工程と、前記半導体ウェハの異物・欠陥が無いと推定される参照用チップに前記光を照射した後、前記光の散乱・回折光をフィルタに通して検出して前記参照用チップの情報である参照用チップ情報を取り込み、一方、前記散乱・回折光をハーフミラーに反射させてこのハーフミラー反射光を検出してミラー参照用チップ情報を取得し、このミラー参照用チップ情報を2値化処理して前記参照用チップのパターン情報を求める工程と、前記検査用チップ情報と前記参照用チップ情報とを比較して前記検査用チップ上の前記異物・欠陥の位置や大きさなどの情報である異物・欠陥情報を求める工程と、前記異物・欠陥情報による前記異物・欠陥の位置に対しての前記参照用チップの前記パターン情報によるパターンの有無を判定する工程と、前記異物・欠陥の位置に前記パターンが有ると判定した際には前記異物・欠陥を致命とし、前記異物・欠陥の位置に前記パターンが無いと判定した際には前記異物・欠陥を非致命とする工程と、前記異物・欠陥の致命チップ数・非致命チップ数の判定情報から前記半導体ウェハの推定最大歩留および推定最小歩留を算出する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (1件)：

H01L 21/66 ( 200 6.01)

FI (3件)：

H01L 21/66 J , H01L 21/66 Y , H01L 21/66 Z

引用特許：

審査官引用 (12件)

異物検出方式および異物検査装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-229438 出願人：日立電子エンジニアリング株式会社, 株式会社日立製作所
半導体の検査方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-333378 出願人：株式会社日立製作所
異物検査方法および装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-225836 出願人：株式会社日立製作所, 日立電子エンジニアリング株式会社

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