半導体装置およびその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：吉武賢次 , 佐藤泰和 , 吉元弘 , 川崎康
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-224448
公開番号（公開出願番号）：特開2010-062239
出願日： 2008年09月02日
公開日（公表日）： 2010年03月18日
要約：

【課題】下層の絶縁膜が窒化するのを抑制するとともに上層の絶縁膜からの酸素の拡散を抑制して電荷捕獲密度の低下を可及的に防止することを可能にする。【解決手段】第1絶縁膜2と、第1絶縁膜上に形成され、窒素が添加されたアモルファスシリコン層4aと、アモルファスシリコン層上に形成された第1窒化シリコン層4bと、第1窒化シリコン層上に形成された第2絶縁膜10と、を備えていることを特徴とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1絶縁膜と、前記第1絶縁膜上に形成され、窒素が添加されたアモルファスシリコン層と、前記アモルファスシリコン層上に形成された第1窒化シリコン層と、前記第1窒化シリコン層上に形成された第2絶縁膜と、を備えていることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/824 , H01L 29/788 , H01L 29/792 , H01L 27/115

FI (2件)：

H01L29/78 371 , H01L27/10 434

Fターム (40件)：

5F083EP18 , 5F083EP22 , 5F083EP48 , 5F083EP49 , 5F083EP50 , 5F083GA01 , 5F083GA10 , 5F083GA11 , 5F083GA25 , 5F083GA27 , 5F083JA03 , 5F083JA05 , 5F083JA12 , 5F083JA19 , 5F083JA35 , 5F083JA39 , 5F083JA53 , 5F083NA01 , 5F083PR12 , 5F083PR15 , 5F083PR18 , 5F083PR21 , 5F083PR40 , 5F101BA42 , 5F101BA45 , 5F101BA47 , 5F101BA48 , 5F101BA49 , 5F101BA53 , 5F101BB02 , 5F101BB08 , 5F101BD16 , 5F101BD30 , 5F101BD35 , 5F101BF02 , 5F101BH02 , 5F101BH03 , 5F101BH06 , 5F101BH17 , 5F101BH18

引用特許：

出願人引用 (2件)

半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-155740 出願人：株式会社東芝
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-112189 出願人：株式会社東芝

審査官引用 (6件)

特開昭64-086562
不揮発性記憶素子及び半導体集積回路装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-008964 出願人：株式会社ルネサステクノロジ
不揮発性半導体メモリ装置と半導体装置、及び不揮発性半導体メモリ装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-123914 出願人：株式会社東芝

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