特許
J-GLOBAL ID：201103021733541831

トレンチ側壁からの横方向成長による窒化ガリウム半導体層の製造

発明者：
ゼレヴァ,ツヴェタンカ

ゼレヴァ,ツヴェタンカ について

, 
トムソン,ダレン・ビー

トムソン,ダレン・ビー について

, 
スミス,スコット・エイ

スミス,スコット・エイ について

, 
リンシカム,ケヴィン・ジェイ

リンシカム,ケヴィン・ジェイ について

, 
ゲールケ,トーマス

ゲールケ,トーマス について

, 
デイヴィス,ロバート・エフ

デイヴィス,ロバート・エフ について


出願人/特許権者：
ノース・キャロライナ・ステイト・ユニヴァーシティ

ノース・キャロライナ・ステイト・ユニヴァーシティ について


代理人 (3件)： 奥山 尚一 ,  有原 幸一 ,  松島 鉄男
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-553988
特許番号：特許第3950630号
出願日： 1999年06月09日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 基礎的窒化ガリウム層(106)内のポストの側壁(105)を、前記基礎的窒化ガリウム層にあるトレンチ(107)内に横方向に成長させつつ、前記ポストの頂部上で前記基礎的窒化ガリウム層を、前記側壁の横方向の成長速度よりも遅い速度で縦方向に成長させて、これにより横方向の窒化ガリウム半導体層(108a)を形成するステップを含んでなる窒化ガリウム半導体層の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/205 ( 200 6.01) ,  C30B 29/38 ( 200 6.01) ,  H01L 21/20 ( 200 6.01)
FI (3件)：
H01L 21/205 ,  C30B 29/38 D ,  H01L 21/20
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM