特許
J-GLOBAL ID：201103022031959753
多層配線基板の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
綿貫 隆夫
, 堀米 和春
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-074045
公開番号（公開出願番号）：特開2002-280738
特許番号：特許第4491159号
出願日： 2001年03月15日
公開日（公表日）： 2002年09月27日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 ビアポストを介して配線パターンが層間で電気的に接続された多層配線基板を製造する方法であって、
一方の面に前記ビアポストを形成する領域を被覆するマスクパターンを設けた金属板を一方の面側からエッチングし、金属板の他方の面側に前記ビアポストを支持する基板部を残して金属板の一方の面側にビアポストを形成する工程と、
前記基板部の前記ビアポストを形成した面側に、ビアポストを埋没させて電気的絶縁層を形成する工程と、
該電気的絶縁層の表面を研磨して前記ビアポストの端面を電気的絶縁層の表面に露出させることにより、ビアポストが形成された金属基体を形成する工程と、
回路基板の配線パターンが形成された面と前記金属基体のビアポストの端面が露出した面とを接合し、前記配線パターンと前記ビアポストとを電気的に接続して前記ビアポストが形成された金属基体と前記回路基板とを一体化する工程と、
前記回路基板と一体化された金属基体の前記基板部を除去し、前記電気的絶縁層の表面と前記ビアポストの他端面とを露出させる工程と、
前記ビアポストの他端面が露出した電気的絶縁層の表面に、前記ビアポストと電気的に接続する配線パターンを形成する工程と、
を含むことを特徴とする多層配線基板の製造方法。
IPC (1件)：
FI (2件)：
H05K 3/46 N
, H05K 3/46 B
