特許
J-GLOBAL ID：201103022147748296

半導体レーザ素子

発明者：
谷健太郎

谷健太郎 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (3件)： 山崎 宏 ,  前田 厚司 ,  仲倉 幸典
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-015120
公開番号（公開出願番号）：特開2000-216488
特許番号：特許第3709089号
出願日： 1999年01月25日
公開日（公表日）： 2000年08月04日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 少なくとも第1導電型の第1クラッド層、活性層、第2導電型の第2クラッド層、第2導電型の第3クラッド層、第2導電型のコンタクト層をこの順序で具備する半導体レーザ素子において、 前記第3クラッド層と前記コンタクト層の間に、前記第1乃至第3クラッド層の禁制帯幅と前記コンタクト層の禁制帯幅の間の値の禁制帯幅を有するヘテロ障壁緩和層を、前記半導体レーザ素子の一方の端面近傍を除いて設け、 前記半導体レーザ素子の他方の端面には前記ヘテロ障壁緩和層の端部が存在し、 前記第3クラッド層が前記半導体レーザ素子の一方の端面から前記半導体レーザ素子の他方の端面まで延伸し、 前記第1乃至第3クラッド層はGaAs基板に略格子整合したAlGaInP系材料であり、前記ヘテロ障壁緩和層はAlGaAs系材料、前記コンタクト層はGaAsであることを特徴とする半導体レーザ素子。
IPC (1件)：
H01S 5/16
FI (1件)：
H01S 5/16
引用特許：
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (11件)
  • 半導体レーザ装置及びその製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-083514   出願人：株式会社東芝
  • 半導体レーザ
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-031398   出願人：日本電気株式会社
  • 特開平3-153090
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