特許

J-GLOBAL ID：200903075219752739

結晶成長方法および半導体発光素子

発明者： 石橋 明彦 ,  伴 雄三郎 ,  武石 英見
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-211951
公開番号（公開出願番号）：特開平9-063962
出願日： 1995年08月21日
公開日（公表日）： 1997年03月07日
要約：

【要約】【目的】 活性層の結晶品質を向上させ、発光効率が高くしかも信頼性の高い半導体発光素子を提供する。【構成】 サファイア基板1上に、AlNバッファ層2、GaNバッファ層3が順に形成され、その上に、n-GaN:Siクラッド層4、In0.05Ga0.95N:Si、C活性層5(厚さ1μm)、p-Al0.1Ga0.9N:Cクラッド層6からなるダブルヘテロ構造が形成され、そしてそのp-Al0.1Ga0.9N:Cクラッド層6の上部には、p-GaN:Cコンタクト層7が形成されている。p型クラッド層にはp型不純物としてCを用いている。

請求項（抜粋）：

AlGaInNのp型ドーパントに炭素を用いた結晶成長方法。

IPC (3件)：

H01L 21/205 ,  H01L 33/00 ,  H01S 3/18

FI (3件)：

H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C ,  H01S 3/18

引用特許：

審査官引用 (8件)

• 特開平4-242985
  
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-256960   出願人：富士通株式会社
• 半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-141750   出願人：株式会社日立製作所
• 特開平4-297023
  
• 特開平2-229476
  
• 特開昭62-119196
  
• 発光ダイオード
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-019586   出願人：ヒューレット・パッカード・カンパニー
• 3族窒化物半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-074366   出願人：豊田合成株式会社