半導体装置の製造方法およびプラズマ処理装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：稲岡耕作 , 川崎実夫
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-359332
公開番号（公開出願番号）：特開2001-176856
特許番号：特許第3686563号
出願日： 1999年12月17日
公開日（公表日）： 2001年06月29日
請求項（抜粋）：

【請求項1】半導体基板の表面にプラズマによる処理を施して半導体装置を製造する方法であって、第1電極の基板載置面上に被処理物としての半導体基板を載置する基板載置工程と、前記第1電極および前記第1電極の基板載置面に対向して配置された第2電極のそれぞれに高周波電力を供給してプラズマを発生させ、このプラズマによる処理を半導体基板の表面に施す基板処理工程と、この基板処理工程において、前記第2電極に供給される高周波電力の大きさを、被処理物の露出率に基づいて変更する電力調整工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：