バイポーラトランジスタ及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：畑泰之
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-352745
公開番号（公開出願番号）：特開平11-186279
特許番号：特許第3228207号
出願日： 1997年12月22日
公開日（公表日）： 1999年07月09日
請求項（抜粋）：

【請求項1】コレクタコンタクト層、コレクタ層、ベース層、エミッタ層を含むバイポーラトランジスタにおいて、前記ベース層とベース電極との間に設けられる外部ベース層が単結晶半導体からなり、前記外部ベース層とコレクタコンタクト層との間には絶縁体層が設けられ、前記絶縁体層とコレクタコンタクト層との間にはコレクタ電極が設けられていることを特徴とするバイポーラトランジスタ。

IPC (3件)：