特許
J-GLOBAL ID：201103022814225736

半導体モジュールの接合構造

発明者：
中田 敏之

中田 敏之 について


出願人/特許権者：
トヨタ自動車株式会社

トヨタ自動車株式会社 について


代理人 (2件)： 吉田 研二 ,  石田 純
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-394883
公開番号（公開出願番号）：特開2003-197859
特許番号：特許第4140238号
出願日： 2001年12月26日
公開日（公表日）： 2003年07月11日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 絶縁基板上に導電性部材を介して実装されたトランジスタ素子にダイオード素子を積層して両素子を並列接続してなる半導体モジュールの接合構造であって、 前記トランジスタ素子の上面側のエミッタ電極と前記ダイオード素子の下面側のアノード電極との間に介在すると共に外部へ延伸した第1の電極板と、 前記ダイオード素子の上面側のカソード電極と、前記トランジスタ素子の下面に形成されたコレクタ電極に接触している前記導電性部材とに接続されると共に前記第1の電極板と直角をなす方向へ延伸した第2の電極板と を備え、 前記トランジスタ素子は、前記第1の電極板に接続されるエミッタ電極と前記第2の電極板に接続されるコレクタ電極とは別にゲート電極を有し、 前記ゲート電極は、相互に直角をなす方向に延伸する前記第1の電極板と前記第2の電極板とが前記積層方向で重ならない位置の前記半導体素子の上面に設けられることを特徴とする半導体モジュールの接合構造。
IPC (2件)：
H01L 25/07 ( 200 6.01) ,  H01L 25/18 ( 200 6.01)
FI (1件)：
H01L 25/04 C
引用特許：
審査官引用 (6件)
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