磁気記録媒体、この製造方法及びこの媒体を用いた磁気記憶装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：井上学
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-142756
公開番号（公開出願番号）：特開2000-339658
特許番号：特許第4102515号
出願日： 1999年05月24日
公開日（公表日）： 2000年12月08日
請求項（抜粋）：

【請求項1】基体上に下地層、磁性層、保護層をスパッタにより形成し、その後必要に応じて潤滑層を形成する磁気記録媒体の製造方法において、該下地層または基体の表面を、該下地層または基体表面に衝突するエネルギーが200eV以下であるガスの窒素イオンにより処理することで、該基体表面の二次元二乗平均平方根粗さRq(5nm以下)に対して少なくとも上記磁性層の二次元二乗平均平方根粗さRqが小さくなるように該磁性層を形成することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。

IPC (3件)：