半導体装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：芝野正雅
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-061415
公開番号（公開出願番号）：特開2000-260786
特許番号：特許第3634660号
出願日： 1999年03月09日
公開日（公表日）： 2000年09月22日
請求項（抜粋）：

【請求項1】一導電型の半導体基板と、前記基板の上に形成したエピタキシャル層と、前記エピタキシャル層を分離した島領域と、前記島領域の1つに形成した入力トランジスタと、外部接続用のボンディングパッドと、前記半導体層の表面を被覆する絶縁膜と、前記入力トランジスタの入力端子に接続されて前記絶縁膜の上に延在され、エレクトリックコンデンサマイクの一方の電極となる拡張電極とを備え、前記拡張電極下部の前記エピタキシャル層の比抵抗を100〜5000Ω・cmにしたことを特徴とする半導体装置。

IPC (7件)：

H01L 21/337 , H01L 21/331 , H01L 21/8222 , H01L 27/06 , H01L 29/73 , H01L 29/808 , H04R 3/00

FI (4件)：

H01L 29/80 C , H04R 3/00 320 , H01L 27/06 101 U , H01L 29/72 Z

引用特許：

出願人引用 (8件)

特開昭55-151359
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-284775 出願人：株式会社東芝
バイポーラ集積回路の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-268084 出願人：ソニー株式会社

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審査官引用 (14件)

特開昭55-151359
特開昭55-151359
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-284775 出願人：株式会社東芝

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