特許

J-GLOBAL ID：201103023845083731

窒化珪素薄膜の製造方法

発明者： 市村 公二
出願人/特許権者： 大日本印刷株式会社
代理人 (2件)： 米田 潤三 ,  皿田 秀夫
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-011841
公開番号（公開出願番号）：特開2000-212747
特許番号：特許第3971527号
出願日： 1999年01月20日
公開日（公表日）： 2000年08月02日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 化学気相蒸着(CVD)法により樹脂フィルム上に窒化珪素薄膜を成膜する窒化珪素薄膜の製造方法において、原料ガスとしてシラザン化合物および窒素ガスを用い、成膜時に樹脂フィルムを水冷して室温に保持することを特徴とする窒化珪素薄膜の製造方法。

IPC (1件)：

C23C 16/42 ( 200 6.01)

FI (1件)：

C23C 16/42

引用特許：

出願人引用 (3件)

• バリアー性積層体及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-283456   出願人：凸版印刷株式会社
• プラズマCVD装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-093903   出願人：日立電子エンジニアリング株式会社
• 透明導電性フィルムならびにそれを用いた透明面状ヒーター
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-268911   出願人：三井東圧化学株式会社

審査官引用 (2件)

• プラズマCVD装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-093903   出願人：日立電子エンジニアリング株式会社
• バリアー性積層体及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-283456   出願人：凸版印刷株式会社

引用文献：

出願人引用 (3件)

• The investigation of properties of silicon nitride films obtained by RPECVD from hexamethyldisilazan
• メチルシラザンのプラズマ分解による窒化ケイ素膜の生成
• PLASMA-DEPOSITED SILICON NITRIDE FILMS IN HMDS(HEXAMETHYLDISILAZANE) VAPOURS

審査官引用 (4件)

• The investigation of properties of silicon nitride films obtained by RPECVD from hexamethyldisilazan
• メチルシラザンのプラズマ分解による窒化ケイ素膜の生成
• PLASMA-DEPOSITED SILICON NITRIDE FILMS IN HMDS(HEXAMETHYLDISILAZANE) VAPOURS
• PLASMA-DEPOSITED SILICON NITRIDE FILMS IN HMDS(HEXAMETHYLDISILAZANE) VAPOURS