半導体装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：芝野正雅
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-061414
公開番号（公開出願番号）：特開2000-306923
特許番号：特許第3634659号
出願日： 1999年03月09日
公開日（公表日）： 2000年11月02日
請求項（抜粋）：

【請求項1】一導電型の半導体基板と、前記基板の上に形成した逆導電型の半導体層と、前記半導体層を前記基板表面に形成した一導電型の拡散領域と前記半導体層に形成した一導電型の分離領域とで分離した島領域と、前記島領域に形成した入力トランジスタと、前記半導体層の表面を被覆する絶縁膜と、前記入力トランジスタの入力端子に接続されたエレクトリックコンデンサマイクの一方の電極であり前記絶縁膜上に延在されて容量を形成する拡張電極とを備え、前記半導体基板の比抵抗を100Ω・cm以上に設定し、前記拡張電極の下の半導体層と前記基板とでPN接合を形成することを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：