特許

J-GLOBAL ID：201103025473669451

半導体装置の作製方法

発明者： 山崎 舜平 ,  細羽 みゆき ,  野田 耕生 ,  大原 宏樹 ,  佐々木 俊成 ,  坂田 淳一郎
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-156912
公開番号（公開出願番号）：特開2011-035389
出願日： 2010年07月09日
公開日（公表日）： 2011年02月17日
要約：

【課題】安定した電気特性を有する薄膜トランジスタを有する、信頼性のよい半導体装置を作製し、提供することを課題の一とする。【解決手段】チャネル形成領域を含む半導体層を酸化物半導体層とする薄膜トランジスタを有する半導体装置の作製方法において、酸化物半導体層の純度を高め、不純物である水分などを低減すると共に、酸化物半導体層を酸化する加熱処理(脱水化または脱水素化のための加熱処理)を行う。また、酸化物半導体層中だけでなく、ゲート絶縁層内に存在する水分などの不純物を低減し、上下に接して設けられる層と酸化物半導体層の界面に存在する水分などの不純物を低減する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

絶縁表面を有する基板上にゲート電極層を形成し、前記ゲート電極層上にゲート絶縁層を形成し、前記ゲート絶縁層上に酸化物半導体層を形成し、前記酸化物半導体層を酸素雰囲気下で加熱した後、前記加熱した酸化物半導体層上にソース電極層及びドレイン電極層を形成し、前記ゲート絶縁層、前記加熱した酸化物半導体層、前記ソース電極層、及び前記ドレイン電極層上に前記加熱した酸化物半導体層の一部と接する酸化物絶縁層を形成した後、酸素雰囲気下または不活性気体雰囲気下で加熱処理することを特徴とする半導体装置の作製方法。

IPC (4件)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  G02F 1/136 ,  H01L 51/50

FI (4件)：

H01L29/78 627F ,  H01L29/78 618B ,  G02F1/1368 ,  H05B33/14 A

Fターム (99件)：

2H092GA43 ,  2H092JA26 ,  2H092JA46 ,  2H092JB64 ,  2H092JB66 ,  2H092JB69 ,  2H092KA05 ,  2H092KA08 ,  2H092MA25 ,  2H092MA26 ,  2H092NA11 ,  2H092NA24 ,  2H092NA29 ,  3K107AA01 ,  3K107BB01 ,  3K107CC11 ,  3K107CC21 ,  3K107EE04 ,  3K107FF17 ,  3K107GG28 ,  3K107HH05 ,  5F110AA08 ,  5F110AA14 ,  5F110BB02 ,  5F110CC03 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD07 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE14 ,  5F110EE15 ,  5F110EE23 ,  5F110EE30 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG13 ,  5F110GG14 ,  5F110GG22 ,  5F110GG25 ,  5F110GG43 ,  5F110GG57 ,  5F110GG58 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK08 ,  5F110HK14 ,  5F110HK15 ,  5F110HK17 ,  5F110HK21 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HK42 ,  5F110HL01 ,  5F110HL07 ,  5F110HL09 ,  5F110HL22 ,  5F110HL23 ,  5F110HL27 ,  5F110HM04 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN05 ,  5F110NN16 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN27 ,  5F110NN33 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110NN36 ,  5F110NN40 ,  5F110NN71 ,  5F110NN72 ,  5F110PP01 ,  5F110PP02 ,  5F110PP10 ,  5F110PP13 ,  5F110PP38 ,  5F110QQ02 ,  5F110QQ09 ,  5F110QQ19

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 発光装置とその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-036044   出願人：キヤノン株式会社
• 薄膜トランジスタの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-149575   出願人：ソニー株式会社
• 多結晶シリコン層の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-003777   出願人：東芝松下ディスプレイテクノロジー株式会社
• 薄膜トランジスタ製造装置、酸化物半導体薄膜の製造方法、薄膜トランジスタの製造方法、酸化物半導体薄膜、薄膜トランジスタ及び発光デバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-146457   出願人：富士フイルム株式会社