薄膜トランジスタ製造装置、酸化物半導体薄膜の製造方法、薄膜トランジスタの製造方法、酸化物半導体薄膜、薄膜トランジスタ及び発光デバイス

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：中島淳 , 加藤和詳 , 西元勝一 , 福田浩志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-146457
公開番号（公開出願番号）：特開2011-003775
出願日： 2009年06月19日
公開日（公表日）： 2011年01月06日
要約：

【課題】酸化物半導体薄膜の酸素量を精度良く制御する。【解決手段】大気と遮断された酸化物半導体薄膜形成室20内で、基板36上に、酸化物半導体の薄膜、すなわち活性層106を形成する薄膜形成工程と、前記薄膜形成工程の中で前記薄膜を加熱する加熱工程と、前記酸化物半導体薄膜形成室20と接続され、前記大気と遮断された輸送室14内で、前記基板36上に形成した薄膜を、前記加熱工程により加熱された温度から急速冷却する冷却工程と、を有する。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

基板上に酸化物半導体薄膜を形成する真空薄膜形成室と、前記真空薄膜形成室で前記酸化物半導体薄膜を形成中に又は形成した後に、前記酸化物半導体薄膜を加熱する加熱手段と、前記真空薄膜形成室と同一の、又は前記真空薄膜形成室と接続され、前記大気と遮断された真空処理室内に設けられ、前記加熱手段により加熱された前記酸化物半導体薄膜を急速冷却する冷却手段と、を有する薄膜トランジスタ製造装置。

IPC (4件)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 21/363 , C23C 14/58

FI (4件)：

H01L29/78 618A , H01L21/363 , H01L29/78 618B , C23C14/58 A

Fターム (83件)：

4K029AA04 , 4K029AA09 , 4K029AA24 , 4K029BA50 , 4K029BD00 , 4K029BD01 , 4K029CA05 , 4K029DC05 , 4K029DC09 , 4K029DC16 , 4K029EA03 , 4K029EA08 , 4K029GA00 , 4K029GA01 , 4K029HA01 , 5F045AA03 , 5F045AA18 , 5F045AA19 , 5F045AB40 , 5F045CA09 , 5F045CA15 , 5F045HA16 , 5F045HA22 , 5F045HA24 , 5F103AA01 , 5F103AA02 , 5F103AA08 , 5F103AA10 , 5F103BB22 , 5F103DD30 , 5F103GG02 , 5F103HH04 , 5F103LL01 , 5F103LL13 , 5F103NN01 , 5F103NN05 , 5F103PP03 , 5F103PP18 , 5F103RR04 , 5F103RR05 , 5F110AA30 , 5F110BB01 , 5F110CC01 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD06 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE07 , 5F110EE44 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF28 , 5F110GG01 , 5F110GG06 , 5F110GG07 , 5F110GG12 , 5F110GG15 , 5F110GG19 , 5F110GG25 , 5F110GG34 , 5F110GG43 , 5F110GG58 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK06 , 5F110HK07 , 5F110HK33 , 5F110NN02 , 5F110NN04 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110QQ01 , 5F110QQ09 , 5F110QQ14

引用特許：

審査官引用 (7件)

半導体装置及びその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-200670 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
ホモロガス薄膜を活性層として用いる透明薄膜電界効果型トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-266012 出願人：科学技術振興事業団, 太田裕道
アモルファス酸化物半導体膜を用いた薄膜トランジスタの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-226698 出願人：キヤノン株式会社

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