特許
J-GLOBAL ID：201103026343343313
光電変換素子の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
西川 惠清
, 森 厚夫
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-283159
公開番号（公開出願番号）：特開2001-110462
特許番号：特許第4320869号
出願日： 1999年10月04日
公開日（公表日）： 2001年04月20日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 少なくとも、一方の面上に増感色素担持金属酸化物半導体層が被着された電極と、この電極の前記金属酸化物半導体層と対峙する対電極と、該電極の前記金属酸化物半導体層と対電極との間に配置された電解質層とを有する光電変換素子の製造方法において、
前記増感色素担持金属酸化物半導体層は、前記電極を有する基板を、チタンフルオロ錯体と、増感色素と、ホウ酸又はアルミニウムとを有する水溶液中に浸漬し、取り出した後、乾燥させることにより形成されることを特徴とする光電変換素子の製造方法。
IPC (2件)：
H01M 14/00 ( 200 6.01)
, H01L 31/04 ( 200 6.01)
H01M 14/00 P
, H01L 31/04 Z
出願人引用 (12件)
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審査官引用 (12件)
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