光起電力素子の製造方法、光起電力素子製造装置

発明者： , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：渡辺敬介
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-204204
公開番号（公開出願番号）：特開2001-036114
特許番号：特許第3624120号
出願日： 1999年07月19日
公開日（公表日）： 2001年02月09日
請求項（抜粋）：

【請求項1】基板上に少なくとも一つのnip接合またはpin接合からなる構造体を作成すべく、p型半導体層を堆積する工程と、i型半導体層を堆積する工程と、n型半導体層を堆積する工程とを有し、n層とi層との間、または/およびi層とp層との間に、緩衝半導体層を堆積する工程を有する光起電力素子の製造方法において、少なくとも一方の緩衝半導体層を堆積する工程で、緩衝半導体層の一部を形成した後に基板を冷却し、その後に緩衝半導体層の他の部分を形成することを特徴とする光起電力素子の製造方法。

IPC (1件)：