特許
J-GLOBAL ID：201103026851939400
集積回路製造のための低誘電率材料
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
三枝 英二
, 掛樋 悠路
, 斎藤 健治
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-250863
公開番号（公開出願番号）：特開2000-106394
特許番号：特許第3716404号
出願日： 1999年09月03日
公開日（公表日）： 2000年04月11日
請求項（抜粋）：
【請求項1】集積回路内の導電性エレメント間に電気的アイソレーションを提供する方法であって、部分的に製造された集積回路を有する基板を提供する工程、オルガノシランガスソースを酸化剤と反応させることにより、主として水酸化珪素から形成されかつ炭素原子を含む層を基板上に形成する工程;プラズマ処理する間、水酸化珪素層上に層を形成させることなく、プラズマ処理することにより、水酸化珪素層をより低い誘電率を有する絶縁材料に変換する工程、及びプラズマ処理した後に450°Cを超える温度で基板をアニーリングする工程を有する方法。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L 21/316 X
, H01L 21/316 P
, H01L 21/76 N
