特許
J-GLOBAL ID：201103027762812281

窒化物半導体発光素子およびその製造方法

発明者：
筆田 麻祐子

筆田 麻祐子 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (1件)： 特許業務法人深見特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-290404
公開番号（公開出願番号）：特開2011-061246
出願日： 2010年12月27日
公開日（公表日）： 2011年03月24日
要約：
【課題】発光素子により発生される光の取り出し効率を向上させ、さらに、歩留まりも良好である窒化物半導体発光素子を提供すること。【解決手段】基板上に、第一導伝型半導体層、発光層および第二導伝型半導体層が、この順番で形成され、さらに、前記第一導伝型半導体層上に第一電極が形成され、前記第二導伝型半導体層上に第二電極が形成されている窒化物半導体発光素子であって、前記第一電極および第二電極は、主とする発光波長に対して高反射率を有し、主とする光取り出し面は前記窒化物半導体発光素子の側面であることを特徴とする、窒化物半導体発光素子である。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板上に、第一導伝型半導体層、発光層および第二導伝型半導体層が、この順番で形成され、さらに、少なくとも前記第二導伝型半導体層上に第二電極が形成されている窒化物半導体発光素子であって、 第二電極は、主とする発光波長に対して高反射率を有し、 主とする光取り出し面は前記窒化物半導体発光素子の側面であることを特徴とする、窒化物半導体発光素子。
IPC (1件)：
H01L 33/32
FI (1件)：
H01L33/00 186
Fターム (11件)：
5F041AA03 ,  5F041AA04 ,  5F041AA41 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA14 ,  5F041CA40 ,  5F041CA76 ,  5F041CA83 ,  5F041CA92 ,  5F041CB15
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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