窒化物半導体発光ダイオード

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出願人/特許権者：
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-062589
公開番号（公開出願番号）：特開平11-330554
特許番号：特許第3622562号
出願日： 1999年03月10日
公開日（公表日）： 1999年11月30日
請求項（抜粋）：

【請求項1】n側の窒化物半導体層と、p側の窒化物半導体層との間に活性層を有する窒化物半導体発光ダイオードにおいて、前記n側の窒化物半導体層は、n電極が形成されるn側コンタクト層上に、アンドープInXGa1-XN(0<X<1)からなる第1の窒化物半導体層と、アンドープInYGa1-YN(0≦Y<1、Y<X)からなる第2の窒化物半導体層がそれぞれ少なくとも1層以上積層された合計3層以上からなるn側多層膜層を有することを特徴とする窒化物半導体発光ダイオード。

IPC (2件)：