特許

J-GLOBAL ID：201103028194355071

SiCN薄膜の形成方法

発明者： 阿川 義昭 ,  木内 正人 ,  松谷 貴臣
出願人/特許権者： 株式会社アルバック ,  独立行政法人産業技術総合研究所
代理人 (2件)： 東田 潔 ,  打揚 洋次
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-374123
公開番号（公開出願番号）：特開2003-171767
特許番号：特許第3988982号
出願日： 2001年12月07日
公開日（公表日）： 2003年06月20日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 成膜チャンバー内に設置された基板上にSiCN薄膜を形成する方法であって、ヘキサメチルジシラン[(CH3)6(Si)2]を気化せしめて得た材料ガスを、1以上の加熱手段により所定の温度に保持しながら輸送して該基板上に吹き付け、一方、質量分離機構を有しないイオンビーム照射装置により、窒素ガス及びアンモニアガスの少なくとも1種、又は窒素ガス及びアンモニアガスの少なくとも1種と、Ar、He、Ne、Kr、Xe及び水素ガスから選ばれた少なくとも1種との混合ガスから発生させたイオンビームを該材料ガスの吹き付けと同時に該基板上に照射し、300°C以下でSiCN薄膜を形成することを特徴とするSiCN薄膜の形成方法。

IPC (2件)：

C23C 16/42 ( 200 6.01) ,  H01L 21/318 ( 200 6.01)

FI (2件)：

C23C 16/42 ,  H01L 21/318 B

引用特許：

出願人引用 (2件)

• シリコン系化合物膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-198645   出願人：日新電機株式会社
• 無定形SiNC被膜を蒸着する方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-287998   出願人：ダウ・コ-ニング・コ-ポレ-ション

審査官引用 (1件)

• シリコン系化合物膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-198645   出願人：日新電機株式会社

引用文献：

出願人引用 (4件)

• Structural analysis and microstructural observation of SiCxNy films prepared by reactive sputtering
• Ion beam-induced chemical vapor deposition with hexamethyldisilane for hydrogenated amorphous silico
• 有機ケイ素を用いたイオン誘起CVD法の開発
• イオンビ-ム誘起CVDによる有機ケイ素を用いたアモルファス炭化ケイ素薄膜の作製