半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：井上一 , 布施行夫 , 大渕美千栄
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-558551
特許番号：特許第3702788号
出願日： 1999年06月25日
請求項（抜粋）：

【請求項1】基板の配線パターンが形成された面と、半導体素子の電極が形成された面との間に、接着剤を介在させる第1工程と、前記半導体素子と前記基板との間にエネルギーを加えて、前記配線パターンと前記電極とを電気的に導通させ、前記接着剤が前記半導体素子からはみ出した状態で、前記半導体素子との接触領域において前記接着剤の接着能を発現させる第2工程と、前記第2の工程の終了後、さらに、前記接着剤の前記半導体素子との接触領域以外の領域に、前記接着剤を硬化させるためのエネルギーを加える第3工程と、を含む半導体装置の製造方法。

IPC (1件)：