特許
J-GLOBAL ID：201103028698775128

基板処理装置

発明者：
寺崎 正

寺崎 正 について


出願人/特許権者：
株式会社日立国際電気

株式会社日立国際電気 について


代理人 (3件)： 油井 透 ,  阿仁屋 節雄 ,  清野 仁
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-109807
公開番号（公開出願番号）：特開2000-306903
特許番号：特許第3985925号
出願日： 1999年04月16日
公開日（公表日）： 2000年11月02日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 処理ガスを使って基板に所定の処理を施すための密閉された第1の空間を形成する第1の空間形成手段と、 前記第1の空間との間で、前記所定の処理を施された基板とこの処理が施されていない基板との入替えが行われる密閉された第2の空間を形成する第2の空間形成手段と、 前記第1の空間と前記第2の空間との間で基板を搬送するための基板搬入・搬出口を開閉するためのゲートバルブと、 前記第1と第2の空間の圧力を制御する圧力制御手段と、 を少なくとも備え、前記第1の空間にて複数枚の基板に対する処理が順次実行される基板処理装置であって、 前記圧力制御手段は、 前記基板を前記第2の空間から前記第1の空間へ搬入するために前記ゲートバルブを開く際、 前記第1の空間に反応ガス又は不活性ガスを供給しつつ前記第1の空間を一定流量で真空排気することにより、前記基板が前記第1の空間にて前記所定の処理が施される時の処理圧力に保持し、且つ前記第2の空間の圧力を前記処理圧力よりも高い圧力に保持するように、前記第1と第2の空間の圧力を制御するものである ことを特徴とする基板処理装置。
IPC (3件)：
H01L 21/31 ( 200 6.01) ,  C23C 16/44 ( 200 6.01) ,  H01L 21/205 ( 200 6.01)
FI (3件)：
H01L 21/31 B ,  C23C 16/44 B ,  H01L 21/205
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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