半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：芝野正雅
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-141948
公開番号（公開出願番号）：特開2000-332045
特許番号：特許第3505433号
出願日： 1999年05月21日
公開日（公表日）： 2000年11月30日
請求項（抜粋）：

【請求項1】半導体基板上に形成された電極パッドと、この電極パッド上に形成されたバンプ電極と、前記電極パッドの直下の半導体基板上に層間絶縁膜を介して形成された半導体素子を有する半導体装置において、前記半導体素子上の前記層間絶縁膜と前記電極パッドとの間にポリイミド膜から成る応力緩和膜を介在させた半導体装置であって、前記応力緩和膜は、前記半導体装置が実装基板に実装された状態においてこの応力緩和膜に生じるひずみエネルギーが一定の値に減少する距離まで前記パッド電極よりも外側に拡張されたことを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：