透明導電膜処理方法

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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：石島茂男 , 阿部英樹
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-341622
公開番号（公開出願番号）：特開2001-158963
特許番号：特許第4408503号
出願日： 1999年12月01日
公開日（公表日）： 2001年06月12日
請求項（抜粋）：

【請求項1】ITO膜である透明導電膜が形成された基板を真空槽内に配置し、 CF4ガス、CHF3ガス、SF6ガスのいずれか1種又は2種以上のガスを含む処理ガスを前記真空槽内に導入し、前記処理ガスのプラズマを発生させ、前記透明導電膜表面を前記プラズマに曝すことを特徴とする透明導電膜処理方法。

IPC (4件)：

C23C 14/58 ( 200 6.01) , C23C 14/08 ( 200 6.01) , G02F 1/1343 ( 200 6.01) , H01B 13/00 ( 200 6.01)

FI (4件)：

C23C 14/58 Z , C23C 14/08 D , G02F 1/134 , H01B 13/00 503 B

引用特許：

出願人引用 (8件)

透明導電性基板およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-018372 出願人：松下電子工業株式会社
特開昭62-252009
特開昭52-107596

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審査官引用 (8件)

透明導電性基板およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-018372 出願人：松下電子工業株式会社
特開昭62-252009
特開昭52-107596

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