半導体装置のプロセスモニター方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：河村洌
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-001851
公開番号（公開出願番号）：特開2000-200816
特許番号：特許第3641378号
出願日： 1999年01月07日
公開日（公表日）： 2000年07月18日
請求項（抜粋）：

【請求項1】半導体基板からなるウェハの表面にプロセスモニター用の酸化膜を設け、その上に導電膜を設けることによりモニター用パターンを形成し、前記半導体基板と前記導電膜との間に電圧および/または電流を印加して前記酸化膜の膜質を評価するプロセスモニター方法であって、前記モニター用パターンを、前記ウェハに形成される製品用のチップと同じかそれより大きい面積で形成し、かつ、該製品用のチップに形成される凹凸のパターンと同じかそれより小さい凹凸を複数個有する酸化膜のパターンに形成して行う半導体装置のプロセスモニター方法。

IPC (1件)：