特許

J-GLOBAL ID：201103029617741930

酸化膜エッチング方法

発明者： 五十嵐 義樹 ,  バイディア ナサン バラスブラマニアン ,  末正 智希 ,  稲沢 剛一郎
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 高山 宏志
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-287259
公開番号（公開出願番号）：特開2002-100607
特許番号：特許第4566373号
出願日： 2000年09月21日
公開日（公表日）： 2002年04月05日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 真空に保持可能な処理容器内に酸化膜が形成された被処理体を設置するとともに、処理容器内にエッチングガスのプラズマを生成し、その中で被処理体の酸化膜をエッチングする酸化膜エッチング方法であって、 エッチングガスはC4F6ガスとO2ガスとを含み、C4F6ガスとO2ガスとの比C4F6/O2の値が1.0〜1.5であり、 エッチングの際の被処理体温度を80°C以上とし、 前記プラズマを生成する機構が、相対向する一対の電極間に高周波電界を形成してプラズマを生成する容量結合型、かつ、前記被処理体が載置される電極にプラズマ生成用の高周波が印加されるRIEタイプであり、複数の異方性セグメント磁石を前記処理容器の周囲にリング状に配置し、前記各異方性セグメント磁石の磁化の方向が、前記電極間に一様な一方向磁場が形成されるように設定されたダイポールリング磁石を有する磁場形成手段により、前記電極間に電界と直交する、3000μT以上の磁場を形成しながらエッチングを行うことを特徴とする酸化膜エッチング方法。

IPC (1件)：

H01L 21/3065 ( 200 6.01)

FI (2件)：

H01L 21/302 101 B ,  H01L 21/302 105 A

引用特許：

審査官引用 (4件)

• ドライエッチング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-105281   出願人：ソニー株式会社
• ドライエッチング方法および半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-299205   出願人：松下電子工業株式会社
• プラズマエッチング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-002397   出願人：ソニー株式会社
• 酸化膜のエッチング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-140413   出願人：東京エレクトロン株式会社