ヘテロ接合バイポーラトランジスタ

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：青山葆 (外1名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-140124
公開番号（公開出願番号）：特開2000-332023
特許番号：特許第3411235号
出願日： 1999年05月20日
公開日（公表日）： 2000年11月30日
請求項（抜粋）：

【請求項1】エミッタ領域、ベース領域、コレクタ領域およびサブコレクタ領域を順に備えたヘテロ接合バイポーラトランジスタにおいて、上記コレクタ領域は、可動電荷担体が移動する厚さ方向に関して、隣接した複数のサブ領域を含み、上記各サブ領域の中では、エネルギバンドギャップは一定であるかまたは上記厚さ方向の位置に応じて線形に変化し、上記各サブ領域の間では、コレクタ中の可動電荷担体の走行するエネルギバンドエッジは連続し、上記各サブ領域の間の電子親和力とエネルギバンドギャップの相違により生じた擬似電場を補償するように、上記各サブ領域の界面に2次元または擬似2次元の電荷層が形成されていることを特徴とするヘテロ接合バイポーラトランジスタ。

IPC (2件)：