特許
J-GLOBAL ID：201103029808495106

疎水性コアシェルシリカ粒子、中空シリカ粒子およびこれらの製造方法

発明者：
綾 洋一

綾 洋一 について

, 
本間 剛

本間 剛 について

, 
本間 正敏

本間 正敏 について


出願人/特許権者：
株式会社ADEKA

株式会社ADEKA について


代理人 (5件)： 曾我 道治 ,  古川 秀利 ,  鈴木 憲七 ,  梶並 順 ,  大宅 一宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-243550
公開番号（公開出願番号）：特開2011-089018
出願日： 2009年10月22日
公開日（公表日）： 2011年05月06日
要約：
【課題】有機溶媒や樹脂等の非水溶性媒体に高濃度で添加でき、且つ非水溶性媒体への添加後の系に濁りや白化等を生じさせない、あるいは添加後の系がゲル化しないコアシェルシリカ粒子及び中空シリカ粒子の提供、更に該コアシェルシリカ粒子及び該中空シリカ粒子の製造方法を提供すること。【解決手段】(A)成分としてSiO2の組成式で表わされるシリカ、(B)成分として一般式(2)の組成式、又は一般式(1)及び一般式(2)の組成式で表わされる変性シリカ、及び(C)成分として一般式(3)の組成式で表わされる変性シリカを含有するシェル層と、乳化重合によって得られる樹脂からなるコアとを備えることを特徴とするコアシェルシリカ粒子。 RSiO3/2 (1)(式中、Rはアミノ基、メルカプト基、(メタ)アクリル基及びエポキシ基から選択されるいずれかの基で置換されてもよい総炭素数1〜24の炭化水素基、又は炭素数1〜24のハロゲン化アルキル基を表す。) R’2SiO (2)(式中、R’はアミノ基、メルカプト基、(メタ)アクリル基及びエポキシ基から選択されるいずれかの基で置換されてもよい総炭素数1〜24の炭化水素基、又は炭素数1〜24のハロゲン化アルキル基を表す。) R”3SiO1/2 (3)(式中、R”はアミノ基、メルカプト基、(メタ)アクリル基及びエポキシ基から選択されるいずれかの基で置換されてもよい総炭素数1〜24の炭化水素基、又は炭素数1〜24のハロゲン化アルキル基を表す。)【選択図】なし
請求項（抜粋）：
(A)成分としてSiO2の組成式で表わされるシリカ、(B)成分として一般式(2)の組成式、又は一般式(1)及び一般式(2)の組成式で表わされる変性シリカ、及び(C)成分として一般式(3)の組成式で表わされる変性シリカを含有するシェル層と、乳化重合によって得られる樹脂からなるコアとを備えることを特徴とするコアシェルシリカ粒子。 RSiO3/2 (1) (式中、Rはアミノ基、メルカプト基、(メタ)アクリル基及びエポキシ基から選択されるいずれかの基で置換されてもよい総炭素数1〜24の炭化水素基、又は炭素数1〜24のハロゲン化アルキル基を表す。) R’2SiO (2) (式中、R’はアミノ基、メルカプト基、(メタ)アクリル基及びエポキシ基から選択されるいずれかの基で置換されてもよい総炭素数1〜24の炭化水素基、又は炭素数1〜24のハロゲン化アルキル基を表す。) R”3SiO1/2 (3) (式中、R”はアミノ基、メルカプト基、(メタ)アクリル基及びエポキシ基から選択されるいずれかの基で置換されてもよい総炭素数1〜24の炭化水素基、又は炭素数1〜24のハロゲン化アルキル基を表す。)
IPC (3件)：
C08L 83/04 ,  C01B 33/18 ,  C08L 101/00
FI (3件)：
C08L83/04 ,  C01B33/18 C ,  C08L101/00
Fターム (19件)：
4G072AA25 ,  4G072BB07 ,  4G072BB16 ,  4G072HH30 ,  4G072MM04 ,  4G072QQ06 ,  4G072QQ09 ,  4G072UU07 ,  4J002AC03W ,  4J002AC06W ,  4J002AC07W ,  4J002AC08W ,  4J002BC02W ,  4J002BF02W ,  4J002BG02W ,  4J002BN15W ,  4J002CK02W ,  4J002CP03X ,  4J002GD05
引用特許：
審査官引用 (6件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM