特許
J-GLOBAL ID：201103029989869614
細孔の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
渡辺 徳廣
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-344134
公開番号（公開出願番号）：特開2001-105400
特許番号：特許第4532634号
出願日： 1999年12月03日
公開日（公表日）： 2001年04月17日
請求項（抜粋）：
【請求項1】Alを主成分とするバルクもしくは膜である被加工物、またはAlを主成分とするバルクもしくは膜に表面膜を有する被加工物に対して、選択的に荷電粒子ビームを照射して該荷電粒子ビームの照射場所にのみ細孔形成開始点を形成する工程、および該被加工物の複数の場所に対して該荷電粒子ビームを照射し、照射量の差で前記細孔形成開始点を形成する工程のうち、いずれかの工程と、前記細孔形成開始点を有する前記被加工物を陽極酸化することにより、該細孔形成開始点から該細孔形成開始点に対応した細孔を形成する工程を有することを特徴とする細孔の製造方法。
IPC (4件)：
B81C 1/00 ( 200 6.01)
, B23K 15/00 ( 200 6.01)
, B23K 15/08 ( 200 6.01)
, C25D 11/16 ( 200 6.01)
B81C 1/00
, B23K 15/00 508
, B23K 15/08
, C25D 11/16 301
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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引用文献：
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