特許
J-GLOBAL ID：201103030302024588
銅柱バンプ上の金属間化合物の接合のための方法と構造
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
池田 憲保
, 福田 修一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-151626
公開番号（公開出願番号）：特開2011-029636
出願日： 2010年07月02日
公開日（公表日）： 2011年02月10日
要約：
【課題】銅柱バンプ上の金属間化合物(IMC)の良好な接合のための方法と構造を提供する。【解決手段】銅柱108層を形成するために銅を堆積するステップと、銅柱層の上部に拡散バリア層110を堆積するステップと、拡散バリア層上に銅キャップ層112を形成するステップを含み、金属間化合物116(IMC)が拡散バリア層、銅キャップ層、銅キャップ層上に形成されたはんだ層の間に形成される。IMCは銅柱構造上で良好な接合性を有し、IMCの厚さは銅キャップ層の厚さで制御することができ、拡散バリア層は銅柱層からはんだ層への銅の拡散を抑制する。銅キャップ層を形成する前に、拡散バリア層上部の濡れ性のために薄膜層を堆積するステップを更に含むことができる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
銅含有柱層を形成するステップ、
前記銅含有柱層上に拡散バリア層を堆積するステップ、及び
前記拡散バリア層上に金属間化合物(IMC)を形成するステップを含む、柱構造を形成する方法。
IPC (1件)：
FI (3件)：
H01L21/92 604A
, H01L21/92 602D
, H01L21/92 603A
