特許

J-GLOBAL ID：201103030310494631

半導体素子及び金属化層を有する絶縁層が接着剤により取付られているガラス支持体を有する半導体装置

発明者： デッケル ロナルド ,  マース ヘンリクス ヘー エル ,  ファン デュールゼン マリア ハー ウェー アー
出願人/特許権者： エヌエックスピー ビー ヴィ
代理人 (2件)： 杉村 憲司 ,  澤田 達也
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-544437
特許番号：特許第4538107号
出願日： 1999年02月15日
請求項（抜粋）：

【請求項1】ガラス支持体を有する半導体装置であって、この半導体装置が更に、 絶縁層と、 この絶縁層の第1の側の表面上に設けられた半導体素子及び導体細条のパターンを有する金属化層と、 前記絶縁層、前記半導体素子及び前記金属化層上に設けられ、誘電率εrが3よりも小さい絶縁層と、 前記誘電率εrが3よりも小さい絶縁層と前記ガラス支持体との間に設けられ、最初に述べた前記絶縁層を前記ガラス支持体に取付ける接着剤層と を具えており、 前記誘電率εrが3よりも小さい絶縁層と前記接着剤層との双方が、ベンゾシクロブテンの層であることを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 21/02 ( 200 6.01) ,  H01L 27/12 ( 200 6.01) ,  H01L 21/336 ( 200 6.01) ,  H01L 29/786 ( 200 6.01) ,  H01L 21/762 ( 200 6.01)

FI (3件)：

H01L 27/12 B ,  H01L 29/78 627 D ,  H01L 21/76 D

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体薄膜素子その応用装置および半導体薄膜素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-122024   出願人：セイコー電子工業株式会社
• 薄膜フラーレンを含んでいるnチャネル電界効果型トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-059209   出願人：エイ・ティ・アンド・ティ・コーポレーション
• 液晶ディスプレイ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-166944   出願人：オーアイエス・オプティカル・イメージング・システムズ・インコーポレイティド

引用文献：

審査官引用 (1件)

• “Cyclotene Advanced Electronic Resins for High-Aperture AMLCD Applications”