特許
J-GLOBAL ID：201103030687455550

レジストフロー工程用フォトレジスト組成物、及びこれを利用したコンタクトホールの形成方法

発明者：
李 根 守

李 根 守 について

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金 珍 秀

金 珍 秀 について

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金 炯 秀

金 炯 秀 について

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白 基 鎬

白 基 鎬 について


出願人/特許権者：
株式会社ハイニックスセミコンダクター

株式会社ハイニックスセミコンダクター について


代理人 (9件)： 三枝 英二 ,  掛樋 悠路 ,  小原 健志 ,  中川 博司 ,  舘 泰光 ,  斎藤 健治 ,  藤井 淳 ,  関 仁士 ,  中野 睦子
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-335989
公開番号（公開出願番号）：特開2001-188350
特許番号：特許第4058586号
出願日： 2000年11月02日
公開日（公表日）： 2001年07月10日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 フォトレジスト樹脂と、光酸発生剤(photo acid generator)と、有機溶媒でなるフォトレジスト組成物において、前記フォトレジスト樹脂は下記化学式1a及び化学式1bの単量体のうちの少なくとも1つの単量体と下記化学式5の架橋単量体とを含む第1共重合体、及び下記化学式2a及び化学式2bの単量体のうちの少なくとも1つの単量体と下記化学式5の架橋単量体とを含む第2共重合体を含む混合樹脂であることを特徴とするフォトレジスト組成物 前記式で、 R1は水素又はメチル基であり; R2は水素、置換又は非置換されたC1-C10の直鎖又は側鎖アルキル基、或いはアリル基であり; R3、R4、R5、及びR6はそれぞれ水素、置換又は非置換されたC1-C10の直鎖又は側鎖アルキル基又はアリル基であり; R8は水素又はメチル基であり; R17は酸に敏感な保護基であり; R及びR’はそれぞれ置換、又は非置換されたC0-C10の直鎖又は側鎖アルキレンであり; nは1乃至5の中から選択された整数であり; x及びyはそれぞれ1又は2である。
IPC (5件)：
G03F 7/039 ( 200 6.01) ,  G03F 7/004 ( 200 6.01) ,  G03F 7/40 ( 200 6.01) ,  H01L 21/027 ( 200 6.01) ,  H01L 21/768 ( 200 6.01)
FI (7件)：
G03F 7/039 601 ,  G03F 7/004 503 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/40 511 ,  H01L 21/30 502 R ,  H01L 21/90 A ,  H01L 21/90 C
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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