特許
J-GLOBAL ID：201103030718941288
半導体記憶装置
出願人/特許権者：
富士通マイクロエレクトロニクス株式会社
富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 について
代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-180231
公開番号（公開出願番号）：特開2001-014861
特許番号：特許第4361639号
出願日： 1999年06月25日
公開日（公表日）： 2001年01月19日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 複数のメモリセルよりなる複数のメモリセルアレイと、前記メモリセルアレイの間に配置され、前記メモリセルアレイと接する部分の形状が前記メモリセルと同じ形状を持つセンスアンプとを、ビット線に接続し、
前記センスアンプは、前記ビット線に沿って対称に配置した2つのセンスアンプを単位として配置され、かつ前記2つのセンスアンプの合計の面積が、メモリセルの2つ分の面積と等しい、
ことを特徴とする半導体記憶装置。
IPC (4件)：
H01L 21/8244 ( 200 6.01)
, H01L 27/11 ( 200 6.01)
, G11C 11/419 ( 200 6.01)
, G11C 11/41 ( 200 6.01)
FI (3件)：
引用特許：
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