半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：上柳雅誉 , 須澤修
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-359135
公開番号（公開出願番号）：特開2001-177048
特許番号：特許第3731420号
出願日： 1999年12月17日
公開日（公表日）： 2001年06月29日
請求項（抜粋）：

【請求項1】複数の半導体チップを接着剤で接着して多層化する工程と、半導体チップにビアーをあける工程と、ビアー内壁の接着剤を溶剤で除去して電極上面を露出する工程と、半導体チップを加熱してビアー内壁に絶縁膜を形成する工程と、ビアー内をエッチングして電極を露出する工程と、半導体チップをメッキ槽に挿入してビアー内にメッキを充填して導電体を形成し、電極を電気的に接続する工程と、からなることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：